最大门源电压 | ±20 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 6.22 |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 40000 |
最大漏源电压 | 200 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 400@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-252 |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 6.5 |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 2.3 |
最大连续漏极电流 | 7 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
连续漏极电流 | 7 A |
栅源电压(最大值) | �20 V |
功率耗散 | 40 W |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | TO-252 |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 200 V |
弧度硬化 | No |
工厂包装数量 | 2500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
宽度 | 6.22 mm |
Qg - Gate Charge | 31.5 nC |
封装/外壳 | TO-252-3 |
下降时间 | 30 ns |
安装风格 | SMD/SMT |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | OptiMOS |
配置 | 1 N-Channel |
最高工作温度 | + 175 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 闵 | 3 S |
Id - Continuous Drain Current | 7 A |
长度 | 6.5 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 300 mOhms |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
系列 | XPD07N20 |
身高 | 2.3 mm |
典型导通延迟时间 | 10 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 40 W |
上升时间 | 40 ns |
技术 | Si |
SPD07N20GBTMA1也可以通过以下分类找到
SPD07N20GBTMA1相关搜索